主要規格及技術參數

工作條件

1.1電源：能在220V±10％，50Hz，30A供電條件下連續工作。儀器設備的插頭應符合中國國家標準，否則應提供適合儀器插頭的插座；

1.2環境：能在15～25℃，相對濕度小于60％環境下運行。

2.設備組成

2.1 掃描電鏡主機主要構成:

2.1.1掃描電鏡基本單元

2.1.2二次電子探測器

2.1.3背散射電子探測器

2.1.4計算機控制單元

2.1.5 23寸LCD觸控顯示器

2.2自動穩壓電源:1套

2.3一體化電制冷能譜儀

2.4離子濺射儀

3指標要求

3.1分辨率

3.1.1二次電子分辨率：3.0nm (30kV) ,8nm(3kV)，15nm (1kV)

3.1.2背散射電子分辨率：4.0nm(30KV)

3.1.3放大倍率5X - 300,000X（128 X96mm實放大倍率條件下）

3.2真空系統

3.2.1高真空模式：真空度10^-4Pa

3.2.2全自動電磁閥門，無須空氣壓縮機

3.2.3采用二級真空系統：機械泵、分子泵，均必須原裝進口

3.3電子光學系統

3.3.1電子槍 工廠預對中設計，采用無縫自給偏壓技術

3.3.2電子槍自動功能：具有自動加熱、自動對中、自動飽和度調整功能

3.3.2聚光鏡 采用自動可變焦聚光鏡

3.3.3光闌 三級可調物鏡光闌

3.4圖像電位移±50μm

3.5樣品室和樣品臺

3.5.1最大樣品直徑：200mm，可完全觀察178mm

3.5.2樣品交換方式：大開門式，無需氮氣保護

3.5.3樣品臺：優中心全對中樣品臺,具有五軸馬達驅動功能

3.5.4樣品臺移動速度：不低于3mm/s

3.5.5最大樣品重量：2kg可傾斜90°

3.5.6樣品臺行程：行程X：125mm,Y：100mm,Z：80mm;傾斜-10°至+90°旋轉360°

3.5.7具有超規格樣品限位功能。

3.5.8具有自動導航功能。

3.6探測器及成像系統

3.6.1二次電子探測器:可形成二次電子像

3.6.2環形及方形高靈敏度背散射電子探測器:可形成成分像、形貌像和陰影像

3.6.3成像模式：同時得到二次電子像、背散射電子像，兩種圖像任意比例混合像，三種圖像方便進行對比。

3.6.4圖像測量軟件：包括垂直,水平,對角，任意2點間距離，直徑, 2個圓中心間距離，角度，圓和多角形

3.6.5具有Charge Free不導電樣品掃描模式，可將樣品受到電子束的損傷和電荷積累降到最低

3.6.6 23英寸觸控LCD控制，win7系統 最大像素不低于5120×3840

3.7 X射線能譜儀（制造廠家最好與電鏡廠家相同）：

3.7.1具有一體化能譜儀設計，一臺電腦即可完成圖像拍攝及元素分析功能

3.7.2能量分辨率：129eV

3.7.3元素分析范圍：B-U

3.7.4有效探測面積：不小于30mm²

3.7.5采用SDD電制冷技術，無需液氮

3.8進口離子濺射儀

主要功能及特色

掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。新式的掃描電子顯微鏡的分辨率可以達到1nm;放大倍數可以達到30萬倍及以上連續可調;并且景深大,視野大,成像立體效果好。此外,掃描電子顯微鏡和其他分析儀器相結合,可以做到觀察微觀形貌的同時進行物質微區成分分析。掃描電子顯微鏡在巖土、石墨、陶瓷及納米材料等的研究上有廣泛應用。