2023年11月8日上午,我院邀請中國科學院高能物理研究所曹興忠、王寶義研究員在理科樓B413為師生先后作了《正電子譜學》《正電子譜學技術應用研究》兩場學術報告。學院組織青年教師及研究生參會,應用物理系主任尹崇山主持報告會。
正電子湮沒譜學技術在研究材料微觀缺陷、微觀結構方面有著獨特的優勢,在針對陽離子空位等負電性空位型缺陷的研究中,可以獲取材料內部微觀缺陷的種類與分布的關鍵信息。正電子湮沒壽命和多普勒展寬能譜是正電子湮沒譜學的最基本的分析方法,在金屬、高分子、粉末等材料的空位形成、演化機理以及分布等研究方面能夠發揮獨特的作用。此外,慢正電子束流技術在材料的表面和多層膜材料的界面的微觀結構和缺陷的深度分布的研究中有廣泛的應用。通過正電子技術所得到的微觀結構和缺陷、電子密度和動量分布等信息對研究材料的微觀結構、優化材料的工藝和性能等方面有著指導作用。老師和研究生聽完報告后感到受益匪淺,對2位研究員的研究成果和嚴謹的治學態度表示欽佩。
曹興忠研究員現為中國科學院高能物理研究所研究員,中國科學院大學研究生院教授,博士生導師。全國正電子譜學專業委員會秘書長、委員,中國核學會輻照效應分會理事、學術委員,全國穆斯堡爾譜學專業委員會委員,反應堆物理和材料專業委員會委員,聚變材料學術會議委員。國家重點研發計劃首席科學家、主持國家自然科學基金聯合基金項目以及多個面上項目和重大研究計劃培育項目。
王寶義研究員現為中國科學院高能物理研究所研究員,博士生導師。多學科研究中心主任,全國正電子譜學專業委員會主任。先后參加了多項國家自然科學基金、中國科學院基礎研究重點項目、中國科學院院長基金以及中科院創新基金項目等。在新材料微觀結構和晶體缺陷表征研究以及核技術方法學研究方面研究頗深。
(圖/尹崇山 文/杜奕霏 審核/張國強)
上一條:劉倪綱學術活動預告
下一條:?王寶義學術活動預告