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吳麗娟 教授
個人簡介
吳麗娟，女，博士，教授。2005年于四川大學取得通信與信息系統的碩士學位。2012于電子科技大學取得微電子學與固體電子學的博士學位。2014年7月至今在長沙理工大學物理與電子科學學院工作。主持國家自然科學基金項目、湖南省自然科學基金面上項目、湖南省教育廳項目、橫向項目等20余項。以第一作者發表A類期刊論文40余篇，SCI論文50余篇；出版國家“十三五”科學技術專著叢書1部；申請發明專利20余項。
主要研究領域
功率半導體器件與功率集成電路，集成電路設計與制造，微電子系統設計封裝與測試。
教學情況
在本科生及研究生教育教學工作中系統開設了6門課程，包括本科生教學的 4門主干專業課，分別是《固體物理與半導體物理》、《半導體物理》、《微電子器件基礎》、《微電子工藝學》，以及研究生教學的2門專業基礎課：《半導體功率器件》、《集成電路工藝基礎》。主持省級教改-重點項目，共培養碩士研究生50余人。教學注重漁魚兼受，立德樹人，牽頭獲校級研究生教育教學成果二等獎和研究生思政教學比賽三等獎，多次榮獲優秀教師、優秀班主任、陽光園丁等榮譽。
代表性論文（只列近五年且為第一作者的論文）
(1)Lijuan Wu*,Deqiang Yang et al. A novel 4H-SiC IGBT with double gate PMOS for improving the switch controllability and FBSOA [J]. Microelectronics Journal，2024，147：106187.
(2)Wu, Lijuan*, Guanglin Yang, Deqiang Yang, Zigui Tu, Jie Yuan, Dongsheng Zhao, Mengjiao Liu, and Jiahui Liang. Self-Clamped P-Shield 4H-SiC Trench MOSFET for Low Turn-off Loss and Suppress Switching Oscillation [J]. Microelectronics Journal，2024，151: 106307.
(3)Lijuan Wu*; Jiahui Liang; Mengyuan Zhang; Mengjiao Liu; Tengfei Zhang; Gang Yang; Xuanting Song ; An approach for extracting the SiC/SiO2 SiC MOSFET interface trap distribution and study during short circuit, Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 163: 107581- 107588.
(4)Lijuan Wu; Gang Yang; Mengjiao Liu; Jiahui Liang; Mengyuan Zhang; Tengfei Zhang ; Multidimensional accumulation gate LDMOS with ultra-low specific on-resistance, Microelectronics Journal, 2023, 138(1): 105860-105868.
(5)Lijuan Wu, Mengyuan Zhang, Jiahui Liang, Mengjiao Liu, Tengfei Zhangand Gang Yang.2023. "A Low-Loss 1.2 kV SiC MOSFET with Improved UIS Performance" Micromachines 14, no. 5: 1061. https://doi.org/10.3390/mi14051061.
(6)Lijuan Wu*, Mengjiao Liu, Mengyuan Zhang, et.al. Low On-State Voltage and EMI Noise 4H-SiC IGBT With Self-Biased Split-Gate pMOS. IEEE Transaction on Electron Device, 2023, 70(2): 647-652.
(7)Lijuan Wu*, Xuanting Song, Banghui Zhang, et.al. Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel. .IEEE Transaction on Electron Device 2023, 70(1): 185-190.
(8)Lijuan Wu*, Tao Qiu, Xuanting Song, et al. Analytical model for high-k SOI pLDMOS with self-adaptive balance of polarization charge. Microelectronics Journal, 2023, 132: 105677.
(9)Lijuan Wu*, Banghui Zhang, Gaoqiang Deng, et al. A Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor with Embedded Self-biased N-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor. Journal of Electronic Materials, 2023: 1-8.
(10)Lijuan Wu*,Xing Chen, Jinsheng Zeng, et al. Novel Accumulation Mode Superjunction Device With Extended Superjunction Gate. IEEE Transaction on Electron Device, 2022,69(5):2560-2565.
(11)Lijuan Wu*,Jinsheng Zeng, et al. Analytical Model and Mechanism of a Linear Extended Gate for Lateral Internal Superjunction Power Devices. Silicon, 2022.
(12)Lijuan Wu*,Heng Liu, et al. 4H-SiC Trench IGBT with Controllable Hole-Extracting Path for Low Loss. Chinese PhySiCs B, 2022.
(13)Lijuan Wu*,Wu, H., Zeng, J. et al. A Novel LDMOS with Ultralow Specific on-Resistance and Improved Switching Performance. Silicon ,2021.
(14)Lijuan Wu*, Chen J , H Yang, et al. A Ultra-Low Specific On-Resistance and Extended Gate SJ LDMOS Structure. Transactions on Electrical and Electronic Materials, 2021(5).
(15)Lijuan Wu*, Ding Q , Chen J . Improved Deep Trench Super-junction LDMOS Breakdown Voltage By Shielded Silicon-Insulator-Silicon Capacitor. Silicon, 2020(3).
(16)Lijuan Wu*, Huang Y , Song Y , et al. Novel High-K SOI LDMOS with N + Buried Layer. IETE Technical Review, 2020:1-6.
(17)Lijuan Wu*, Zhu L, Chen X, Variable-K double trenches SOI LDMOS with high-concentration P-pillar. Chinese PhySiCs B, 2020, 29(5).
培養的研究生去向
中芯國際集成電路制造(上海)有限公司（1人）；長鑫存儲技術有限公司（2人）；長江存儲科技有限責任公司（3人）；京東方科技集團股份有限公司（1人）；上海華虹宏力微電子有限公司（1人）；基本半導體（深圳）有限公司（1人）；重慶華潤微電子有限公司（3人）；廣州朗國科技有限公司（1人）；華諾星空技術股份有限公司（1人）；湖南株洲中車集團（3人）；湖南大學電氣與信息工程學院（2人）；湖南比亞迪半導體股份有限公司（1人）；飛騰信息技術有限公司（1人）；湖南三安半導體有限公司（3人）；中國電子科技集團公司第四十八研究所（1人）；湖南楚微半導體科技有限公司（3人）；湖南泰克天潤有限公司（1人）；長沙景嘉微電子股份有限公司（2人）。
聯系方式
E-mail: 305719669@qq.com
通訊地址：長沙理工大學(云塘校區)物理與電子科學學院理科樓B408